ICT测试针对不同的元件,测试的方法也不尽相同,下面就由我给大家详细的介绍一下有哪些使用方法。
1、电阻的测量方法有:
(1)定电流测量法，即设定电阻两端的电流，测试其电压是否在范围内。用这种测量方法一般选取模式D1，D2;
(2)定电压测量法，当电阻并联一个大电容时，由于大电容的充电时间太长，用点电压测量法就比较省时。用这种测量方法一般选取模式V5，CV;
(3)相位测量法，信号源为交流定电压源，测量待测零件两端的电压与电流的相位差，以此计算电阻抗、电容抗或感抗的值。用这种测量方法一般选取模式P1,P2, P3, P4, P5。
2、电容的测量方法有:
(1)交流定电压源量测，它的信号源为定电压交流源，这种测量方法一般可选用模式A1,A2, A3, A4, A5;
(2)直流定电流量测法，它是用DC定电流给待测电容充电，根据充电时间计算电容值。当电容值大于3uF时，电脑会自动设定为DC电容量测法;
(3)相位量测法当电容与电阻并联时，可选用这种方法测量，设定模式为P1，P2，P3， P4,或P5。
3、电感的量测方法
相位量测法，由于电感是由线圈绕成，所以虽然其上没有串联电阻，但是会因为线圈的绕组产生串联电阻的效应，此时需用相位测量法,选取模式为A1, A2,A3，A4,或A5。
4、二极管的量测方法
(1)二极管顺向电压量测法，图1为为二极管顺向电压量测法，设定模式为DT;
(2)二极管的反向崩溃电压测试，图2为测试二极管的崩溃电压，模式设为LV。
(3)二极管并联量测方法，设定模式为CM， 根据流入节点与流出节点电流相等的特性，可以测量二极管的翘脚、反擦、缺件等不良。
5、电晶体的量测方法
(1)电晶体的三端点量测方法，对于NPN型的电晶体，选取模式N,对于PNP型电晶体，选取模式P。
(2)场效电晶体(FET)量测，场效应电晶体分为JFET和MOSFET空乏型及增强型，一般选取模式DT、PF、N。
(3)光耦合电晶体量测方法，光耦合电晶体与NPN型电晶体的测试模式相同，选取模式N。
6、电压测试方法
低压测试，测电容反向、二极管和IC时都可用这种方法，它是在零件两端加一定电压，同时测量零件两端的电压，模式应选为LV模式，电压最大值为10V。
7、IC钳位二极管的量测方法
IC钳位二极管的测量方法有三种，以IC的每一脚对其VCC脚为两端点，以IC的每一.脚对其接地脚GND为两端点，以IC两相邻脚为两端点，对以上三种方法做低压功能测试。
8、短/断路测试方法
将一块良品样板置于针床上学习，电脑会自动测量任意两个测试点之间的阻值。学习时，阻值小于20欧姆的两点视为短路，否则视为断路，由此得到短/断路表;测试时，两点之间阻值小于10欧姆才被视为短路，大于80欧姆视为断路。
